采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N65K3
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R125C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：101W
阈值电压：4V@440µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9596，"16+"：8500，"19+"：3500，"MI+"：340}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N65M2
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9596，"16+"：8500，"19+"：3500，"MI+"：340}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9596，"16+"：8500，"19+"：3500，"MI+"：340}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R125C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@440µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH20N65X
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N65K3
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH20N65X
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N65K3
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N65K3
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：940，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：187，"23+"：250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF165N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1808pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：940，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：940，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：470，"23+"：4000，"24+"：6510，"MI+"：500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF165N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@1.6mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1808pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R125C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：101W
阈值电压：4V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R125C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@440µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：187，"23+"：250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF165N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1808pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9596，"16+"：8500，"19+"：3500，"MI+"：340}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：940，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF165N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1415pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
