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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK8Q65W，S1Q
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功率：80W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：80W
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栅极电荷：16nC@10V
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连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
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功率：30W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@3.9A，10V
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功率：30W
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栅极电荷：16nC@10V
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连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
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包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8Q65W，S1Q
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.5V@300µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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