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    连续漏极电流
    41A
    包装方式: 管件
    栅极电荷: 54nC@15V
    行业应用: 工业
    连续漏极电流: 41A
    当前匹配商品:8
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    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12K 起订30个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12K 起订30个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R75MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:207W

    阈值电压:2.69V@7.5mA

    栅极电荷:54nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1560pF@800V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12D 起订3个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12D 起订3个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R75MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:207W

    阈值电压:2.69V@7.5mA

    栅极电荷:54nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1560pF@800V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12K 起订3个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12K 起订3个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R75MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:207W

    阈值电压:2.69V@7.5mA

    栅极电荷:54nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1560pF@800V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R75MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:207W

    阈值电压:2.69V@7.5mA

    栅极电荷:54nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1560pF@800V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12D 起订30个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12D 起订30个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R75MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:207W

    阈值电压:2.69V@7.5mA

    栅极电荷:54nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1560pF@800V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12K 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12K 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R75MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:207W

    阈值电压:2.69V@7.5mA

    栅极电荷:54nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1560pF@800V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

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    规格型号(MPN):G3R75MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:207W

    阈值电压:2.69V@7.5mA

    栅极电荷:54nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1560pF@800V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12K 起订120个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R75MT12K 起订120个装

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    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

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    规格型号(MPN):G3R75MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:207W

    阈值电压:2.69V@7.5mA

    栅极电荷:54nC@15V

    包装方式:管件

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    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

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