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    onsemi IGBT FGH75T65SHD-F155 起订1个装
    onsemi IGBT FGH75T65SHD-F155 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):225A

    关断延迟时间:80ns

    反向恢复时间:43.4ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:28ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:123nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:2.4mJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SHD-F155 起订10个装
    onsemi IGBT FGH75T65SHD-F155 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):225A

    关断延迟时间:80ns

    反向恢复时间:43.4ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:28ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:123nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:2.4mJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM IGBT RGW80TK65GVC11 起订120个装
    ROHM IGBT RGW80TK65GVC11 起订120个装

    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW80TK65GVC11

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):160A

    关断延迟时间:143ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:110nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM IGBT RGW80TS65DGC11 起订120个装
    ROHM IGBT RGW80TS65DGC11 起订120个装

    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW80TS65DGC11

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):160A

    关断延迟时间:143ns

    反向恢复时间:92ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:110nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM IGBT RGW80TS65DGC11 起订50个装
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    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW80TS65DGC11

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):160A

    关断延迟时间:143ns

    反向恢复时间:92ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:110nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM IGBT RGW80TK65GVC11 起订30个装
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    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW80TK65GVC11

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):160A

    关断延迟时间:143ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:110nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM IGBT RGW80TS65DGC11 起订100个装
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    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW80TS65DGC11

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):160A

    关断延迟时间:143ns

    反向恢复时间:92ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:110nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGW28IH125DF 起订30个装
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    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGW28IH125DF

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):120A

    关断延迟时间:128ns

    关断损耗:720µJ

    集电极截止电流(Ices):1250V

    栅极电荷:114nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.5V@15V,25A

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGW28IH125DF 起订10个装
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    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGW28IH125DF

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):120A

    关断延迟时间:128ns

    关断损耗:720µJ

    集电极截止电流(Ices):1250V

    栅极电荷:114nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.5V@15V,25A

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGW28IH125DF 起订3个装
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    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGW28IH125DF

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):120A

    关断延迟时间:128ns

    关断损耗:720µJ

    集电极截止电流(Ices):1250V

    栅极电荷:114nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.5V@15V,25A

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi IGBT FGH75T65SHD-F155 起订510个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):225A

    关断延迟时间:80ns

    反向恢复时间:43.4ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:28ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:123nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:2.4mJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM IGBT RGW80TK65DGVC11 起订30个装
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    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW80TK65DGVC11

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):160A

    关断延迟时间:143ns

    反向恢复时间:92ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:110nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi IGBT FGH75T65SHD-F155 起订300个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):225A

    关断延迟时间:80ns

    反向恢复时间:43.4ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:28ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:123nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:2.4mJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi IGBT FGH75T65SHD-F155 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):225A

    关断延迟时间:80ns

    反向恢复时间:43.4ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:28ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:123nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:2.4mJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi IGBT FGH75T65SHD-F155 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):225A

    关断延迟时间:80ns

    反向恢复时间:43.4ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:28ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:123nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:2.4mJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM IGBT RGW80TS65DGC11 起订1个装
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    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW80TS65DGC11

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):160A

    关断延迟时间:143ns

    反向恢复时间:92ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:110nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM IGBT RGW80TS65GC11 起订1个装
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    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW80TS65GC11

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):160A

    关断延迟时间:143ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:110nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SHD-F155 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):225A

    关断延迟时间:80ns

    反向恢复时间:43.4ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:28ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:123nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:2.4mJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM IGBT RGW80TK65GVC11 起订1个装
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    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW80TK65GVC11

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):160A

    关断延迟时间:143ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:110nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi IGBT FGH75T65SHD-F155 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":13950,"23+":85040,"MI+":900}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):225A

    关断延迟时间:80ns

    反向恢复时间:43.4ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:28ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:123nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:2.4mJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SHD-F155 起订300个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":13950,"23+":85040,"MI+":900}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):225A

    关断延迟时间:80ns

    反向恢复时间:43.4ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:28ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:123nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:2.4mJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW80TK65DGVC11

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):160A

    关断延迟时间:143ns

    反向恢复时间:92ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:110nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM IGBT RGW80TS65DGC11 起订30个装
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    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW80TS65DGC11

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):160A

    关断延迟时间:143ns

    反向恢复时间:92ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:110nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST IGBT STGW28IH125DF 起订1个装
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    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGW28IH125DF

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):120A

    关断延迟时间:128ns

    关断损耗:720µJ

    集电极截止电流(Ices):1250V

    栅极电荷:114nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.5V@15V,25A

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SHD-F155 起订5000个装
    onsemi IGBT FGH75T65SHD-F155 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":13950,"23+":85040,"MI+":900}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):225A

    关断延迟时间:80ns

    反向恢复时间:43.4ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:28ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:123nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:2.4mJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM IGBT RGW80TS65GC11 起订120个装
    ROHM IGBT RGW80TS65GC11 起订120个装

    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW80TS65GC11

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):160A

    关断延迟时间:143ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:110nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip IGBT APT25GT120BRG 起订100个装
    Microchip IGBT APT25GT120BRG 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT25GT120BRG

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):75A

    关断延迟时间:150ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:14ns

    集电极截止电流(Ices):1200V

    栅极电荷:170nC

    类型:NPT

    集电极电流(Ic):3.7V@15V,25A

    导通损耗:930µJ

    工作温度:-55℃ ~ 150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SHD-F155 起订1000个装
    onsemi IGBT FGH75T65SHD-F155 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":13950,"23+":85040,"MI+":900}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):225A

    关断延迟时间:80ns

    反向恢复时间:43.4ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:28ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:123nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:2.4mJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM IGBT RGW80TS65DGC11 起订10个装
    ROHM IGBT RGW80TS65DGC11 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):RGW80TS65DGC11

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):160A

    关断延迟时间:143ns

    反向恢复时间:92ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:44ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:110nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):1.9V@15V,40A

    导通损耗:760µJ

    工作温度:-40℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT FGH75T65SHD-F155 起订120个装
    onsemi IGBT FGH75T65SHD-F155 起订120个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FGH75T65SHD-F155

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    集电极脉冲电流(Icm):225A

    关断延迟时间:80ns

    反向恢复时间:43.4ns

    关断损耗:720µJ

    开启延迟时间:28ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:123nC

    类型:沟槽型场截止

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A

    导通损耗:2.4mJ

    工作温度:-55℃ ~ 175℃

    包装清单:商品主体 * 1

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