采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：1800，"21+"：1350}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA3060ADF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：90A
关断延迟时间：42.4ns
反向恢复时间：26ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37.4nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，30A
导通损耗：960µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：2100，"20+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGIB10B60KD1P
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：32A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：79ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：25ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：41nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：156µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13GP120BDQ1G
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：50A
关断延迟时间：28ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：9ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：55nC
类型：PT
集电极电流(Ic)：3.9V@15V，13A
导通损耗：115µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA3060ADF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：90A
关断延迟时间：42.4ns
反向恢复时间：26ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37.4nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，30A
导通损耗：960µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGIB10B60KD1P
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：32A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：79ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：25ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：41nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：156µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA3060ADF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：90A
关断延迟时间：42.4ns
反向恢复时间：26ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37.4nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，30A
导通损耗：960µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：2100，"20+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGIB10B60KD1P
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：32A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：79ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：25ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：41nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：156µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA3060ADF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：90A
关断延迟时间：42.4ns
反向恢复时间：26ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37.4nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，30A
导通损耗：960µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"19+"：431}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA3060ADF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：90A
关断延迟时间：42.4ns
反向恢复时间：26ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37.4nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，30A
导通损耗：960µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGIB10B60KD1P
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：32A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：79ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：25ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：41nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：156µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：2100，"20+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGIB10B60KD1P
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：32A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：79ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：25ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：41nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：156µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：2100，"20+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGIB10B60KD1P
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：32A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：79ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：25ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：41nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：156µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：1800，"21+"：1350}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA3060ADF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：90A
关断延迟时间：42.4ns
反向恢复时间：26ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37.4nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，30A
导通损耗：960µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：1800，"21+"：1350}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA3060ADF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：90A
关断延迟时间：42.4ns
反向恢复时间：26ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37.4nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，30A
导通损耗：960µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13GP120BDQ1G
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：50A
关断延迟时间：28ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：9ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：55nC
类型：PT
集电极电流(Ic)：3.9V@15V，13A
导通损耗：115µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGIB10B60KD1P
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：32A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：79ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：25ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：41nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：156µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：2100，"20+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGIB10B60KD1P
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：32A
关断延迟时间：180ns
反向恢复时间：79ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：25ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：41nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：156µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：1800，"21+"：1350}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA3060ADF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：90A
关断延迟时间：42.4ns
反向恢复时间：26ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37.4nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，30A
导通损耗：960µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA3060ADF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：90A
关断延迟时间：42.4ns
反向恢复时间：26ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37.4nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，30A
导通损耗：960µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13GP120BDQ1G
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：50A
关断延迟时间：28ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：9ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：55nC
类型：PT
集电极电流(Ic)：3.9V@15V，13A
导通损耗：115µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA3060ADF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：90A
关断延迟时间：42.4ns
反向恢复时间：26ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37.4nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，30A
导通损耗：960µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：{"18+"：2100，"20+"：12000}
规格型号(MPN)：IRGIB10B60KD1P
反向恢复时间：79ns
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
集电极脉冲电流(Icm)：32A
关断损耗：165µJ
栅极电荷：41nC
工作温度：-55℃ ~ 175℃
开启延迟时间：25ns
导通损耗：156µJ
类型：NPT
包装方式：管件
关断延迟时间：180ns
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
生产批次：{"18+"：1800，"21+"：1350}
规格型号(MPN)：FGA3060ADF
集电极截止电流(Ices)：600V
类型：沟槽型场截止
反向恢复时间：26ns
ECCN：EAR99
集电极脉冲电流(Icm)：90A
栅极电荷：37.4nC
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：12ns
工作温度：-55℃ ~ 175℃
导通损耗：960µJ
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，30A
关断延迟时间：42.4ns
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGIB10B60KD1P
反向恢复时间：79ns
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
集电极脉冲电流(Icm)：32A
关断损耗：165µJ
栅极电荷：41nC
工作温度：-55℃ ~ 175℃
开启延迟时间：25ns
导通损耗：156µJ
类型：NPT
包装方式：管件
关断延迟时间：180ns
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13GP120BDQ1G
集电极电流(Ic)：3.9V@15V，13A
栅极电荷：55nC
工作温度：-55℃ ~ 150℃
类型：PT
集电极截止电流(Ices)：1200V
导通损耗：115µJ
关断损耗：165µJ
关断延迟时间：28ns
集电极脉冲电流(Icm)：50A
包装方式：管件
开启延迟时间：9ns
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：1800，"21+"：1350}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA3060ADF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：90A
关断延迟时间：42.4ns
反向恢复时间：26ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：37.4nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，30A
导通损耗：960µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
