采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA60N10T
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2650pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH10H028SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：DMNH10H028SCT
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功率：2.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31.9nC@10V
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输入电容：1942pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMNH10H028SCT
输入电容：1942pF@50V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
连续漏极电流：60A
导通电阻：28mΩ@20A，10V
阈值电压：4V@250µA
功率：2.8W
栅极电荷：31.9nC@10V
漏源电压：100V
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功率：2.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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阈值电压：4V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：1942pF@50V
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类型：N沟道
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工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2650pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
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功率：176W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2650pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@25A，10V
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功率：2.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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功率：2.8W
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类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
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功率：2.8W
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连续漏极电流：60A
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导通电阻：28mΩ@20A，10V
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功率：2.8W
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连续漏极电流：60A
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导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2650pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
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