采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6410ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP085N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2695pF@50V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@96A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP039N10N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.8V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP039N10N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.8V@125µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP085N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2695pF@50V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@96A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：97，"19+"：68，"21+"：5，"22+"：32，"9999"：84}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6410ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP039N10N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.8V@125µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP039N10N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.8V@125µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP039N10N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.8V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP085N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2695pF@50V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@96A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP085N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2695pF@50V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@96A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP039N10N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.8V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP039N10N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.8V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6410ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6410ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP085N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2695pF@50V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@96A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP039N10N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.8V@125µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：97，"19+"：68，"21+"：5，"22+"：32，"9999"：84}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6410ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：97，"19+"：68，"21+"：5，"22+"：32，"9999"：84}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6410ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP085N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2695pF@50V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@96A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
