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    包装方式: 管件
    漏源电压: 100V
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~175℃
    功率: 263W
    当前匹配商品:9
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    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI045N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI045N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI045N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI045N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI045N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100PSQ 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100PSQ 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100PSQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5512pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI045N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI045N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI045N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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