采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI530GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI530GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI530GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRFI530GPBF
连续漏极电流：9.7A
输入电容：670pF@25V
导通电阻：160mΩ@5.8A，10V
栅极电荷：33nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110A10PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110A10PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI530GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@5.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110A10PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2040pF@50V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：G12P10TE
栅极电荷：33nC@10V
连续漏极电流：12A
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个P沟道
漏源电压：100V
导通电阻：170mΩ@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRFI530GPBF
连续漏极电流：9.7A
输入电容：670pF@25V
导通电阻：160mΩ@5.8A，10V
栅极电荷：33nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：G12P10TE
栅极电荷：33nC@10V
连续漏极电流：12A
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个P沟道
漏源电压：100V
导通电阻：170mΩ@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
