采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1995}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP20N60CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@13.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTW35N65G2V
工作温度：-55℃~200℃
功率：240W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK13A65U(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTW35N65G2V
工作温度：-55℃~200℃
功率：240W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：260，"22+"：100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW20N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@13.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3330pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTW35N65G2VAG
工作温度：-55℃~200℃
功率：240W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTW35N65G2VAG
工作温度：-55℃~200℃
功率：240W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTW35N65G2VAG
工作温度：-55℃~200℃
功率：240W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3330pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTW35N65G2VAG
工作温度：-55℃~200℃
功率：240W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA90N65G2V
工作温度：-55℃~200℃
功率：565W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：157nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@400V
连续漏极电流：119A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@50A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA90N65G2V
工作温度：-55℃~200℃
功率：565W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：157nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@400V
连续漏极电流：119A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@50A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF380N65FL1-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@100V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF380N65FL1-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@100V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTW35N65G2VAG
工作温度：-55℃~200℃
功率：240W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA90N65G2V-4
工作温度：-55℃~200℃
功率：565W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：157nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@400V
连续漏极电流：119A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@50A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3330pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTW35N65G2VAG
工作温度：-55℃~200℃
功率：240W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW20N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@13.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA90N65G2V
工作温度：-55℃~200℃
功率：565W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：157nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@400V
连续漏极电流：119A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@50A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTW35N65G2V
工作温度：-55℃~200℃
功率：240W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTW35N65G2VAG
工作温度：-55℃~200℃
功率：240W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTW35N65G2V
工作温度：-55℃~200℃
功率：240W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTW35N65G2V
工作温度：-55℃~200℃
功率：240W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：73nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@400V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，20V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1995}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP20N60CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@13.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1995}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP20N60CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@13.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW20N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@13.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF380N65FL1-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@100V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3330pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
