品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN063-650WSAQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@400V
连续漏极电流:34.5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN041-650WSBQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":245}
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN041-650WSBQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3300pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN063-650WSAQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@400V
连续漏极电流:34.5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN041-650WSBQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):60psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H035WSQA
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN041-650WSBQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN041-650WSBQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN041-650WSBQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":245}
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN041-650WSBQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN041-650WSBQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN041-650WSBQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN063-650WSAQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@400V
连续漏极电流:34.5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3300pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN041-650WSBQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):300psc
规格型号(MPN):GAN041-650WSBQ
输入电容:1500pF@400V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:650V
导通电阻:41mΩ@32A,10V
阈值电压:4.5V@1mA
包装方式:管件
栅极电荷:22nC@10V
功率:187W
连续漏极电流:47.2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
功率:83W
栅极电荷:18nC@10V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:360mΩ@5A,10V
类型:N沟道
漏源电压:650V
阈值电压:4.5V@1mA
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):300psc
规格型号(MPN):GAN041-650WSBQ
输入电容:1500pF@400V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:650V
导通电阻:41mΩ@32A,10V
阈值电压:4.5V@1mA
包装方式:管件
栅极电荷:22nC@10V
功率:187W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:47.2A
包装清单:商品主体 * 1
库存: