采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@290µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@290µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@290µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@290µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@290µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H050WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.8V@700µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@400V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H050WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：119W
阈值电压：4.8V@700µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@400V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@290µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H050WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：119W
阈值电压：4.8V@700µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@400V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@290µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@290µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
输入电容：430pF@25V
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
类型：N沟道
漏源电压：650V
包装方式：管件
连续漏极电流：9A
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF250N65S3R0L-F154
阈值电压：4.5V@290µA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
漏源电压：650V
功率：31W
包装方式：管件
输入电容：1010pF@400V
导通电阻：250mΩ@6A，10V
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H050WS
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：34A
漏源电压：650V
包装方式：管件
阈值电压：4.8V@700µA
输入电容：1000pF@400V
导通电阻：60mΩ@22A，10V
功率：119W
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
功率：45W
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：650V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
输入电容：1200pF@25V
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@290µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@290µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@290µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H050WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.8V@700µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@400V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
