销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N65K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF15N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK2A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.26Ω@1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28N65M2
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N65K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N65K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N65K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28N65M2
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28N65M2
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF15N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N65K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF15N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF15N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N65K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28N65M2
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28N65M2
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N65K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF21N65M5
连续漏极电流:17A
工作温度:150℃
栅极电荷:50nC@10V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:1950pF@100V
漏源电压:650V
包装方式:管件
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
功率:30W
包装清单:商品主体 * 1
库存: