采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHS90N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：591nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11826pF@100V
连续漏极电流：87A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@45A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHS90N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：591nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11826pF@100V
连续漏极电流：87A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@45A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STY145N65M5
工作温度：150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：414nC@10V
包装方式：管件
输入电容：18500pF@100V
连续漏极电流：138A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@69A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN019N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@14.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：282nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15993pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19.3mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STY139N65M5
工作温度：150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：363nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15600pF@100V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@65A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHS90N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：591nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11826pF@100V
连续漏极电流：87A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@45A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STY112N65M5
工作温度：150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16870pF@100V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@47A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STY139N65M5
工作温度：150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：363nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15600pF@100V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@65A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STY145N65M5
工作温度：150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：414nC@10V
包装方式：管件
输入电容：18500pF@100V
连续漏极电流：138A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@69A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHS90N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：591nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11826pF@100V
连续漏极电流：87A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@45A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHS90N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：591nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11826pF@100V
连续漏极电流：87A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@45A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL019N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@14.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：282nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15993pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19.3mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHS90N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：591nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11826pF@100V
连续漏极电流：87A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@45A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STY139N65M5
工作温度：150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：363nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15600pF@100V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@65A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHS90N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：591nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11826pF@100V
连续漏极电流：87A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@45A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STY139N65M5
工作温度：150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：363nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15600pF@100V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@65A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHS90N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：591nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11826pF@100V
连续漏极电流：87A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@45A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STY145N65M5
工作温度：150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：414nC@10V
包装方式：管件
输入电容：18500pF@100V
连续漏极电流：138A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@69A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STY139N65M5
工作温度：150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：363nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15600pF@100V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@65A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STY139N65M5
工作温度：150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：363nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15600pF@100V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@65A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STY145N65M5
工作温度：150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：414nC@10V
包装方式：管件
输入电容：18500pF@100V
连续漏极电流：138A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@69A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN019N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@14.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：282nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15993pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19.3mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL019N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@14.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：282nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15993pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19.3mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
