品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW015N65C,S1F
工作温度:175℃
功率:342W
阈值电压:5V@11.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4850pF@400V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@50A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK2A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.26Ω@1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK13A65U(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK040N65Z,S1F
工作温度:150℃
功率:360W
阈值电压:4V@2.85mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@300V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@28.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK28N65W,S1F
工作温度:150℃
功率:230W
阈值电压:3.5V@1.6mA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@300V
连续漏极电流:27.6A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@13.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22A65X5,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@300V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.11Ω@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK35N65W,S1F
工作温度:150℃
功率:270W
阈值电压:3.5V@2.1mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3A65DA(STA4,QM)
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.51Ω@1.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK090A65Z,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1.27mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2780pF@300V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.11Ω@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.11Ω@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK380A65Y,S4X
功率:30W
阈值电压:4V@360μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK49N65W,S1F
工作温度:150℃
功率:400W
阈值电压:3.5V@2.5mA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@300V
连续漏极电流:49.2A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@24.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.11Ω@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.11Ω@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW015N65C,S1F
工作温度:175℃
功率:342W
阈值电压:5V@11.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4850pF@400V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@50A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3A65DA(STA4,QM)
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.51Ω@1.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22A65X5,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@300V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK190E65Z,S1X
功率:130W
阈值电压:4V@610μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.37nF@300V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK35A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:3.5V@2.1mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK040N65Z,S1F
工作温度:150℃
功率:360W
阈值电压:4V@2.85mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@300V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@28.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A65W5,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@8.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@8.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: