采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10J80E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP650N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4.5V@800µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1565pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP650N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4.5V@800µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1565pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP650N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4.5V@800µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1565pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP650N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4.5V@800µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1565pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
