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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10J80E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@850µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@600µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：180W
阈值电压：4V@850µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@850µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@600µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：180W
阈值电压：4V@850µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：180W
阈值电压：4V@850µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：180W
阈值电压：4V@850µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@850µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
