采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：E3M0120090J
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@15A，15V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：E3M0120090J
包装方式：管件
连续漏极电流：22A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@15A，15V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20N90K5
连续漏极电流：20A
漏源电压：900V
包装方式：管件
类型：1个N沟道
功率：250W
导通电阻：250mΩ@10V，10A
阈值电压：5V@100μA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
漏源电压：900V
类型：1个N沟道
功率：40W
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
ECCN：EAR99
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
