采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4954pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NDP6060
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ECCN：EAR99
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类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
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功率：215W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
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漏源电压：60V
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连续漏极电流：48A
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功率：100W
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连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
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品牌：ON SEMI
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规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
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栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4954pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：GT025N06AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4954pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
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连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：GT025N06AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
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栅极电荷：70nC@10V
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输入电容：4954pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4954pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：48A
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规格型号(MPN)：NDP6060
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功率：100W
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连续漏极电流：48A
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导通电阻：25mΩ@24A，10V
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规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
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栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
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导通电阻：25mΩ@24A，10V
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