品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:305W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR30N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:166W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3820pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENXC7G
工作温度:150℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENXC7G
工作温度:150℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENXC7G
工作温度:150℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR30N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:166W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3820pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENXC7G
工作温度:150℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENXC7G
工作温度:150℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:305W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:305W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK39N60X,S1F
工作温度:150℃
功率:270W
阈值电压:3.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:38.8A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENXC7G
工作温度:150℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR30N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:166W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3820pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK39N60X,S1F
工作温度:150℃
功率:270W
阈值电压:3.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:38.8A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR30N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:166W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3820pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK39N60X,S1F
工作温度:150℃
功率:270W
阈值电压:3.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:38.8A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENXC7G
工作温度:150℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:305W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:305W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:305W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:305W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: