采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA19N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
功率：360W
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
连续漏极电流：50A
包装方式：管件
漏源电压：600V
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：4100pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：59，"24+"：450}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA19N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA19N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA19N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：59，"24+"：450}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA19N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA19N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：360W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@100V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW58N60DM2AG
功率：360W
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
连续漏极电流：50A
包装方式：管件
漏源电压：600V
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：4100pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：450psc
规格型号(MPN)：FQA19N60
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：3600pF@25V
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@9.3A，10V
连续漏极电流：18.5A
包装方式：管件
功率：300W
漏源电压：600V
栅极电荷：90nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60DM2
功率：360W
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
连续漏极电流：50A
包装方式：管件
漏源电压：600V
栅极电荷：90nC@10V
输入电容：4100pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
