采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R180P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7T60PL
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：965pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7N60FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：995pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R180P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R180P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R180P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7N60FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：995pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7N60FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：995pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R180P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R180P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7T60PL
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：965pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7N60FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：995pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：56，"9999"：174}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZA60R180P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：56，"9999"：174}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZA60R180P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7N60FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：995pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7T60PL
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：965pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7T60PL
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：965pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R180P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R180P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7N60FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：995pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R180P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12E60W，S1VX
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R180P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R180P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7N60FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：995pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
