采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：766}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30，"18+"：2700，"22+"：8542}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI47N60DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP50N60DM6
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30，"18+"：2700，"22+"：8542}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP50N60DM6
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：766}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30，"18+"：2700，"22+"：8542}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP42N60M2-EP
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2370pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：87mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30，"18+"：2700，"22+"：8542}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP170N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@380V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
