品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB22N60AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1451pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA20N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60FD
工作温度:-65℃~150℃
功率:214W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":900,"23+":8659}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF20N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA20N60-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA20N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:管件
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60FD
工作温度:-65℃~150℃
功率:214W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60FD
工作温度:-65℃~150℃
功率:214W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NM60FP
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF20N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA20N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENZC17
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENZC17
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF20N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3680pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:370mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF26NM60N
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NM60FP
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF20N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3680pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:370mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: