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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK62N60W,S1VF 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK62N60W,S1VF 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK62N60W,S1VF

    工作温度:150℃

    功率:400W

    阈值电压:3.7V@3.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6500pF@300V

    连续漏极电流:61.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@30.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16E60W,S1VX 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16E60W,S1VX 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK16E60W,S1VX

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:3.7V@790µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@300V

    连续漏极电流:15.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK39J60W,S1VQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK39J60W,S1VQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK39J60W,S1VQ

    工作温度:150℃

    功率:270W

    阈值电压:3.7V@1.9mA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@300V

    连续漏极电流:38.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@19.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10A60D(STA4,Q,M) 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10A60D(STA4,Q,M) 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16A60W,S4VX 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16A60W,S4VX 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK16A60W,S4VX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:3.7V@790µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@300V

    连续漏极电流:15.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A60DA(STA4,Q,M) 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A60DA(STA4,Q,M) 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK39N60W5,S1VF 起订30个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK39N60W5,S1VF 起订30个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK39N60W5,S1VF

    工作温度:150℃

    功率:270W

    阈值电压:4.5V@1.9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@300V

    连续漏极电流:38.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:74mΩ@19.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A60DA(STA4,Q,M) 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A60DA(STA4,Q,M) 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9A60D(STA4,Q,M) 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9A60D(STA4,Q,M) 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK9A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:830mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A60DA(STA4,Q,M) 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A60DA(STA4,Q,M) 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9A60D(STA4,Q,M) 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9A60D(STA4,Q,M) 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK9A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:830mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9A60D(STA4,Q,M) 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9A60D(STA4,Q,M) 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK9A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:830mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK31E60X,S1X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK31E60X,S1X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK31E60X,S1X

    工作温度:150℃

    功率:230W

    阈值电压:3.5V@1.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@300V

    连续漏极电流:30.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@9.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16A60W,S4VX 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16A60W,S4VX 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK16A60W,S4VX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:3.7V@790µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@300V

    连续漏极电流:15.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16A60W,S4VX 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16A60W,S4VX 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK16A60W,S4VX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:3.7V@790µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@300V

    连续漏极电流:15.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10Q60W,S1VQ 起订75个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10Q60W,S1VQ 起订75个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10Q60W,S1VQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:3.7V@500µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10A60D(STA4,Q,M) 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10A60D(STA4,Q,M) 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16A60W,S4VX 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16A60W,S4VX 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK16A60W,S4VX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:3.7V@790µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@300V

    连续漏极电流:15.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK39N60W5,S1VF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK39N60W5,S1VF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK39N60W5,S1VF

    工作温度:150℃

    功率:270W

    阈值电压:4.5V@1.9mA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@300V

    连续漏极电流:38.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:74mΩ@19.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK750A60F,S4X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK750A60F,S4X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK750A60F,S4X

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1130pF@300V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK31A60W,S4VX 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK31A60W,S4VX 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK31A60W,S4VX

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:3.7V@1.5mA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@300V

    连续漏极电流:30.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@15.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A60W5,S5VX 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A60W5,S5VX 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7A60W5,S5VX

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25N60X5,S1F 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25N60X5,S1F 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK25N60X5,S1F

    工作温度:150℃

    功率:180W

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@300V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A60W,S4VX 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A60W,S4VX 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7A60W,S4VX

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.7V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK31A60W,S4VX 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK31A60W,S4VX 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK31A60W,S4VX

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:3.7V@1.5mA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@300V

    连续漏极电流:30.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@15.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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