品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":1773}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":238}
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4V@800µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":238}
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2700,"MI+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH35N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:312.5W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6640pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@17.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2700,"MI+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH35N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:312.5W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6640pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@17.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035KNZ1C9
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035KNZ1C9
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4V@800µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MICROSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT6017LFLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@17.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4V@800µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":1773}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2700,"MI+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH35N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:312.5W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6640pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@17.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":1773}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4V@800µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2700,"MI+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH35N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:312.5W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:181nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6640pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:98mΩ@17.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: