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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7971}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU3N50CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：365pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
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类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU3N50CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：365pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：500V
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规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
功率：35W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
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包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
连续漏极电流：2.5A
输入电容：660pF@25V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：7971}
规格型号(MPN)：FQU3N50CTU
栅极电荷：13nC@10V
漏源电压：500V
功率：35W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.25A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
输入电容：365pF@25V
连续漏极电流：2.5A
ECCN：EAR99
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7971}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU3N50CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：365pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
功率：35W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
连续漏极电流：2.5A
输入电容：660pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
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