品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP50020E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15265pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP023N10N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@270µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15600pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP40010EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11155pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP020N08N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:223nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16900pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP020N08N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@280µA
栅极电荷:223nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16900pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP020N08N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@280µA
栅极电荷:223nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16900pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP020N08N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@280µA
栅极电荷:223nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16900pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP020N08N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:223nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16900pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP023N10N5XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15600pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQP120N10-09_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8645pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP50020E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP023N10N5XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15600pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3150,"23+":151200,"9999":204,"MI+":4950}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: