品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT2N300P3HV
工作温度:-55℃~155℃
功率:520W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:21Ω@1A,10V
漏源电压:3000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2225-E
工作温度:150℃
功率:50W
包装方式:管件
输入电容:984.7pF@30V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@1A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTL2N470
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:6V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6860pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@1A,10V
漏源电压:4700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:249pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9610GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA5131
包装方式:管件
连续漏极电流:2A
类型:6N-沟道(3相桥)
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF2N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:95pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU95R3K7P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V@40µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:196pF@400V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@800mA,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF710PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP2N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:86W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:655pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2HNK60Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STU2N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:105pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF710PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU95R3K7P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V@40µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:196pF@400V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@800mA,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF3LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:2.63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:102pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF3LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:2.63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:102pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK2A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.26Ω@1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF710PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTL2N470
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:6V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6860pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@1A,10V
漏源电压:4700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFUC20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF710PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF710PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP2N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:95pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1500,"19+":35364,"20+":16225}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU95R3K7P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:196pF@400V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@800mA,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2225-E
工作温度:150℃
功率:50W
包装方式:管件
输入电容:984.7pF@30V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@1A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF710PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存: