品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:360nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14365pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:347nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10900pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:735W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:360nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14365pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:360nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14365pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076MNZ1C9
工作温度:-55℃~150℃
功率:740W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7000pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:360nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14365pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:360nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14365pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:360nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14365pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076MNZ1C9
工作温度:-55℃~150℃
功率:740W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7000pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZA60R037P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1.48mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5243pF@400V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@29.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:360nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14365pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:360nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14365pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076MNZ1C9
工作温度:-55℃~150℃
功率:740W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7000pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:360nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14365pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076MNZ1C9
工作温度:-55℃~150℃
功率:740W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7000pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1916
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:735W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:735W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:360nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14365pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:735W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:347nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10900pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076MNZ1C9
工作温度:-55℃~150℃
功率:740W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7000pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:360nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14365pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: