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    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2025
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:525
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N380CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N380CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM70N380CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18.8nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:981pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:525
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N380CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N380CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM70N380CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18.8nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:981pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1050
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    输入电容:500pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:25W

    包装方式:管件

    栅极电荷:9.3nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM900N06CH X0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G

    导通电阻:90mΩ@6A,10V

    输入电容:500pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:25W

    包装方式:管件

    栅极电荷:9.3nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N380CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N380CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM70N380CH C5G

    输入电容:981pF@100V

    导通电阻:380mΩ@3.3A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    漏源电压:700V

    功率:125W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18.8nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3.9V@680µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3.9V@680µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA2
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3.9V@680µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3.9V@680µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW12NK90Z
    ST Mosfet场效应管 STW12NK90Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW12NK90Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:230W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:880mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R299CPXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R299CPXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":18500}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R299CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:3.5V@440µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:278
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF400N80ZL1-F154
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF400N80ZL1-F154

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF400N80ZL1-F154

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35.7W

    阈值电压:4.5V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW90R500C3XKSA1 起订240个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW90R500C3XKSA1 起订240个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW90R500C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:3.5V@740µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:500mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:240
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW90R500C3XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW90R500C3XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW90R500C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:3.5V@740µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:500mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1-1G
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1-1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":34500,"17+":3150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD60N360U1-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:309
    ST Mosfet场效应管 STW12NK90Z
    ST Mosfet场效应管 STW12NK90Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW12NK90Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:230W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:880mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA80R450P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA80R450P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA80R450P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29W

    阈值电压:3.5V@220µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@500V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC50PBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC50PBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPC50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:180W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    Microchip Mosfet场效应管 APT11N80BC3G 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT11N80BC3G 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT11N80BC3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:3.9V@680µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1585pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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