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    包装方式: 管件
    连续漏极电流: 27.5A
    漏源电压: 1.2kV
    当前匹配商品:7
    商品信息
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    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订5个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订5个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订10个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订10个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订50个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订50个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订100个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订100个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    类型:1个N沟道

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+175℃

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    栅极电荷:37.8nC@15V

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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