采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：97}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@1.63mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12150}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@1.63mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12150}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@1.63mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12150}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：13937}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP16CN10LGXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4190pF@50V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：15.7mΩ@54A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTR102N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：330W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10900pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@51A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12150}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1991，"19+"：15300，"22+"：1018，"MI+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH077N65F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7162pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@27A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1991，"19+"：15300，"22+"：1018，"MI+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH077N65F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7162pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@27A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH077N65F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7162pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@27A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH077N65F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7162pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@27A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTR102N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：330W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10900pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@51A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
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栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH077N65F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7162pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@27A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@1.63mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：13937}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP16CN10LGXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4190pF@50V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：15.7mΩ@54A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH077N65F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7162pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@27A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@1.63mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5623pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12150}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1991，"19+"：15300，"22+"：1018，"MI+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH077N65F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7162pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@27A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
