品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@9,5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1118pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:201mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1118pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:201mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R120C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R120C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG20N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1640pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@9,5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R120C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG20N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1640pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"9999":350}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP19N40
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2115pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@9.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP20N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1640pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R120C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":14349,"22+":211,"MI+":120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA18N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:239W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:265mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":14349,"22+":211,"MI+":120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA18N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:239W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:265mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@9,5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R120C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOY2610E
工作温度:-55℃~150℃
功率:59.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOY2610E
工作温度:-55℃~150℃
功率:59.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@9,5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1412pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":940,"22+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":187,"23+":250}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF165N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4V@1.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1808pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1118pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:201mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA22N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":940,"22+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1118pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:201mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":940,"22+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP165N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:154W
阈值电压:4.5V@1.9mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP165N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:154W
阈值电压:4.5V@1.9mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: