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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
漏源电压：500V
阈值电压：3.5V@200µA
类型：N沟道
栅极电荷：18.7nC@10V
输入电容：433pF@100V
功率：28W
包装方式：管件
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
连续漏极电流：11.1A
工作温度：-40℃~150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN50R500CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：18.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：433pF@100V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@2.3A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
