品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:586pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2500,"19+":37000,"22+":39000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R1K5CEXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:20W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA6N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:422pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA6N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:422pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU220NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU220NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STU7NM60N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":16246,"22+":3563}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU220NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830ALPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP7N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:271pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8NM50N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G2R1000MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:5.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@20V
包装方式:管件
输入电容:111pF@1000V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9N65M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":16246,"22+":3563}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU220NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830ALPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830ALPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:270pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR430APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.7Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8NM50N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€74W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP5N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:6V@250µA
栅极电荷:33.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1830pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@500mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR430APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.7Ω@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU220NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G2R1000MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:5.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@20V
包装方式:管件
输入电容:111pF@1000V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存: