采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP52N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R045M1XKSA1
工作温度：-40℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@15V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R045M1XKSA1
工作温度：-40℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
栅极电荷：57nC@15V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH070N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4925pF@380V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH52N65X
工作温度：-55℃~150℃
功率：660W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4350pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@26A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60M2-4
工作温度：150℃
功率：350W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH52N30P
工作温度：-55℃~150℃
功率：400W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3490pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@500mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R045M1XKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
栅极电荷：52nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW52NK25Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@150µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4850pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R045M1XKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW56N60M2
工作温度：150℃
功率：350W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R045M1XKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
栅极电荷：52nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP52P10P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2845pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@52A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW52NK25Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@150µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4850pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH52P10P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2845pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@52A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH52P10P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2845pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@52A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R045M1XKSA1
工作温度：-40℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@15V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW52NK25Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@150µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4850pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R045M1XKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
栅极电荷：52nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP52N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R035M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
栅极电荷：59nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@25A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH52N30P
工作温度：-55℃~150℃
功率：400W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3490pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@500mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH52N30P
工作温度：-55℃~150℃
功率：400W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3490pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@500mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R045M1XKSA1
工作温度：-40℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@15V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：72W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP52N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R035M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
栅极电荷：59nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@25A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R045M1XKSA1
工作温度：-40℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
栅极电荷：57nC@15V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH52P10P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2845pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@52A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH52N30P
工作温度：-55℃~150℃
功率：400W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3490pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@500mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
