采购热线 400-661-9010
品牌：瞻芯
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IV1Q12160T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：138W
阈值电压：2.9V@1.9mA
栅极电荷：43nC@20V
包装方式：管件
输入电容：885pF@800V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@10A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT20N120
工作温度：-55℃~200℃
功率：175W
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：45nC@20V
包装方式：管件
输入电容：650pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT20N120
工作温度：-55℃~200℃
功率：175W
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：45nC@20V
包装方式：管件
输入电容：650pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT20N120
工作温度：-55℃~200℃
功率：175W
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：45nC@20V
包装方式：管件
输入电容：650pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT12060LVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@2.5mA
栅极电荷：650nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9500pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@10A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IV1Q12160T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：138W
阈值电压：2.9V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@20V
包装方式：管件
输入电容：885pF@800V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@10A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT20N120AG
工作温度：-55℃~200℃
功率：153W
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：45nC@20V
包装方式：管件
输入电容：650pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：239mΩ@10A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT20N120
工作温度：-55℃~200℃
功率：175W
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：45nC@20V
包装方式：管件
输入电容：650pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT20N120
工作温度：-55℃~200℃
功率：175W
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：45nC@20V
包装方式：管件
输入电容：650pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA20N120
工作温度：-55℃~200℃
功率：175W
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：45nC@20V
包装方式：管件
输入电容：650pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：239mΩ@10A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT20N120
工作温度：-55℃~200℃
功率：175W
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：45nC@20V
包装方式：管件
输入电容：650pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：瞻芯
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IV1Q12160T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：138W
阈值电压：2.9V@1.9mA
栅极电荷：43nC@20V
包装方式：管件
输入电容：885pF@800V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@10A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：瞻芯
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IV1Q12160T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：138W
阈值电压：2.9V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@20V
包装方式：管件
输入电容：885pF@800V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@10A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT20N120
工作温度：-55℃~200℃
功率：175W
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：45nC@20V
包装方式：管件
输入电容：650pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW140N120C，S1F
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@18V
包装方式：管件
输入电容：691pF@800V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA20N120
工作温度：-55℃~200℃
功率：175W
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：45nC@20V
包装方式：管件
输入电容：650pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：239mΩ@10A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT20N120AG
工作温度：-55℃~200℃
功率：153W
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：45nC@20V
包装方式：管件
输入电容：650pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：239mΩ@10A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA20N120
工作温度：-55℃~200℃
功率：175W
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：45nC@20V
包装方式：管件
输入电容：650pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：239mΩ@10A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW140N120C，S1F
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@18V
包装方式：管件
输入电容：691pF@800V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
