采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL099N60S5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：184W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@400V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：79.2mΩ@10V，13.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W，S5VX
功率：45W
阈值电压：3.7V@1mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.68nF@300V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
