品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.95nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:104mΩ@10V,18.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.95nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:104mΩ@10V,18.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.95nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:104mΩ@10V,18.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.95nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:104mΩ@10V,18.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP27N60KPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.66nF@25V
连续漏极电流:27A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
类型:1个N沟道
功率:250W
栅极电荷:74nC@10V
阈值电压:5V@250μA
输入电容:2.7nF@100V
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP20N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.08nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP12N50NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:170W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.235nF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@5.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.86nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:265mΩ@10V,9A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP20N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.08nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP31N50LPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5nF@25V
连续漏极电流:31A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@19A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF16N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37.9W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.25nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:260mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.7nF@100V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存: