品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF400N80Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35.7W
阈值电压:4.5V@1.1mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@10V,5.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF43N60DM2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@100V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:93mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF43N60DM2
类型:1个N沟道
功率:40W
输入电容:2.5nF@100V
连续漏极电流:34A
阈值电压:5V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:93mΩ@17A,10V
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF43N60DM2
类型:1个N沟道
功率:40W
输入电容:2.5nF@100V
连续漏极电流:34A
阈值电压:5V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:93mΩ@17A,10V
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: