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    包装方式: 管件
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
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    当前匹配商品:400+
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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560A60Y,S4X
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560A60Y,S4X

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560A60Y,S4X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@240µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380A60Y,S4X 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK380A60Y,S4X 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK380A60Y,S4X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@360µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW36NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:80.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2785pF@50V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4099LS-1E
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4099LS-1E

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":200,"16+":50,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4099LS-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:750pF@30V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:940mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:144
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM60

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ROHM Mosfet场效应管 R6030ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6030ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030ENZ4C13

    工作温度:150℃

    功率:305W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW55NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STW55NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW55NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:350W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5800pF@50V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK62N60W,S1VF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK62N60W,S1VF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK62N60W,S1VF

    工作温度:150℃

    功率:400W

    阈值电压:3.7V@3.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6500pF@300V

    连续漏极电流:61.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@30.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16E60W,S1VX
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16E60W,S1VX

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK16E60W,S1VX

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:3.7V@790µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@300V

    连续漏极电流:15.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP4NK60Z
    ST Mosfet场效应管 STP4NK60Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP4NK60Z

    工作温度:150℃

    功率:70W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    ST Mosfet场效应管 STW48NM60N 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW48NM60N 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW48NM60N

    工作温度:150℃

    功率:330W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4285pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@20A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW56N60M2-4 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW56N60M2-4 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW56N60M2-4

    工作温度:150℃

    功率:350W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3750pF@100V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@26A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP4NK60ZFP 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP4NK60ZFP 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP4NK60ZFP

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK39J60W,S1VQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK39J60W,S1VQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK39J60W,S1VQ

    工作温度:150℃

    功率:270W

    阈值电压:3.7V@1.9mA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@300V

    连续漏极电流:38.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@19.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STP28NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STP28NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:62.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2090pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW36NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:80.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2785pF@50V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10A60D(STA4,Q,M)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10A60D(STA4,Q,M)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16A60W,S4VX
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16A60W,S4VX

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK16A60W,S4VX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:3.7V@790µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@300V

    连续漏极电流:15.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    ST Mosfet场效应管 STF42N60M2-EP
    ST Mosfet场效应管 STF42N60M2-EP

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF42N60M2-EP

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2370pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:87mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF13NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STF13NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF13NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:24.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF9N60M2
    ST Mosfet场效应管 STF9N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STU7NM60N
    ST Mosfet场效应管 STU7NM60N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STU7NM60N

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:363pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    ST Mosfet场效应管 STW34NM60N
    ST Mosfet场效应管 STW34NM60N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW34NM60N

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2722pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF42N60M2-EP
    ST Mosfet场效应管 STF42N60M2-EP

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF42N60M2-EP

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2370pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:87mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    ST Mosfet场效应管 STW48NM60N
    ST Mosfet场效应管 STW48NM60N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW48NM60N

    工作温度:150℃

    功率:330W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4285pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@20A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    ST Mosfet场效应管 STP9N60M2
    ST Mosfet场效应管 STP9N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP9N60M2

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:320pF@100V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    ST Mosfet场效应管 STP34NM60ND
    ST Mosfet场效应管 STP34NM60ND

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP34NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:80.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2785pF@50V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STF42N60M2-EP
    ST Mosfet场效应管 STF42N60M2-EP

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF42N60M2-EP

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2370pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:87mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
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