采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40N95K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@19A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP264PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@23A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP264PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@23A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45N40DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@19A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45N40DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@19A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45NF06
工作温度：175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40N95K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@19A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2，"23+"：342，"24+"：2451}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN38N100Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：5V@8mA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7200pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@19A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45N40DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@19A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF10FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2，"23+"：342，"24+"：2451}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45N40DM2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@19A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2，"23+"：342，"24+"：2451}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4137PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5168pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@24A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R099C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：127nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2780pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45NF06
工作温度：175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF095A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4010pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@19A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF10FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP264PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@23A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP264PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@23A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP264PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@23A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40N95K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@19A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45NF06
工作温度：175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
