采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：329}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：329}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA170B
工作温度：-60℃~175℃
功率：370W
阈值电压：3.25V@2.5mA
栅极电荷：178nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@30A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA170B
工作温度：-60℃~175℃
功率：370W
阈值电压：3.25V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@30A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@34A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N65DM6-4
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4900pF@100V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@34A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-100ES，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3195pF@50V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N65DM6-4
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4900pF@100V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@34A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@34A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N65DM6-4
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4900pF@100V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@34A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120J1
工作温度：-40℃~150℃
功率：277W
阈值电压：3.6V@11.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3424pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@41.4A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@34A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120J1
工作温度：-40℃~150℃
功率：277W
阈值电压：3.6V@11.5mA
栅极电荷：111nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3424pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@41.4A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@34A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA170B
工作温度：-60℃~175℃
功率：370W
阈值电压：3.25V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@30A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@34A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@34A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120J1
工作温度：-40℃~150℃
功率：277W
阈值电压：3.6V@11.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3424pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@41.4A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120J1
工作温度：-40℃~150℃
功率：277W
阈值电压：3.6V@11.5mA
栅极电荷：111nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3424pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@41.4A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3195pF@50V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@34A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：329}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
