品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:249pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60N043DM9
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:78.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4675pF@400V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@28A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK60ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF10N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60N043DM9
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:78.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4675pF@400V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@28A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF10N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT1N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:41.7W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@650mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT4N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK60ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT4N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK60ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK60ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT1N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:41.7W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@650mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT1N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:41.7W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@650mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF20N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3680pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:370mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK60ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: