采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
漏源电压：500V
阈值电压：4.5V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5A
功率：89W
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：TSM1NB60CH C5G
阈值电压：4.5V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
输入电容：138pF@25V
功率：39W
包装方式：管件
连续漏极电流：1A
漏源电压：600V
栅极电荷：6.1nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM10NC65CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1650pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
