采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8440
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：450nC@10V
包装方式：管件
输入电容：24740pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7253，"13+"：7356}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8440
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：450nC@10V
包装方式：管件
输入电容：24740pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8447L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€60W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2400}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRL1404S
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@5V
包装方式：管件
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@95A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2400}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRL1404S
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@5V
包装方式：管件
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@95A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2400}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRL1404S
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@5V
包装方式：管件
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@95A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2400}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRL1404S
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@5V
包装方式：管件
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@95A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8440
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：450nC@10V
包装方式：管件
输入电容：24740pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7253，"13+"：7356}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8440
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：450nC@10V
包装方式：管件
输入电容：24740pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8440
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：450nC@10V
包装方式：管件
输入电容：24740pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8440
输入电容：24740pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：450nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
包装方式：管件
连续漏极电流：100A
导通电阻：2.2mΩ@80A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：524，"22+"：320}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8447L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€60W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7253，"13+"：7356}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8440
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：450nC@10V
包装方式：管件
输入电容：24740pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7253，"13+"：7356}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8440
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：450nC@10V
包装方式：管件
输入电容：24740pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8447L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€60W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8447L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€60W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8440
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：450nC@10V
包装方式：管件
输入电容：24740pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL1404PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：140nC@5V
包装方式：管件
输入电容：6590pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@95A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8447L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€60W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8440
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：450nC@10V
包装方式：管件
输入电容：24740pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2400}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRL1404S
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@5V
包装方式：管件
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@95A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：524，"22+"：320}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8447L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€60W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8447L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€60W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：524，"22+"：320}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8447L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€60W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
