采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA040N06NM5SXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：3.3V@50µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@72A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF610PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU1N60APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：229pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@840mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF710PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU1N60APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：229pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@840mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF11N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF11N60T
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP36N20X3M
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1425pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF710PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：8300，"13+"：572，"9999"：67}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU1N60APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：229pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@840mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU1N60APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：229pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@840mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：8300，"13+"：572，"9999"：67}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF08N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF710PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU1N60APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：229pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@840mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU1N60APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：229pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@840mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA083N10NM5SXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：3.8V@49µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：229pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@840mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF610PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA083N10N5XKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF11N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF710PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
