品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG052N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG050N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3459pF@100V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP052N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP052N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP050N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3459pF@100V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB055N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3707pF@100V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@26.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB055N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3707pF@100V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@26.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP052N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG050N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3459pF@100V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP052N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP050N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3459pF@100V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG052N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG052N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB055N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3707pF@100V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@26.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB055N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3707pF@100V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@26.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP052N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG052N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG050N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3459pF@100V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP050N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3459pF@100V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG052N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG052N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP052N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP052N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP050N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
输入电容:3459pF@100V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
功率:278W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:50mΩ@23A,10V
连续漏极电流:51A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB055N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3707pF@100V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@26.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG052N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG052N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB055N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3707pF@100V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@26.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG052N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP052N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@100V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@23A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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