品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":17001}
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK50ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK50ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":17001}
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK50ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":9876,"11+":4050,"12+":4300,"14+":28950,"15+":1200,"16+":118654,"17+":29416,"9999":299,"MI+":10850}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF05N50ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:632pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK50ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF5N50D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:325pF@100V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NK50ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI820GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NK50ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI820GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NK50ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF05N50ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:632pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF5N50NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF5N50NZF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.75Ω@2.1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF5N50NZF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.75Ω@2.1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF05N50ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:632pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF5N50NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":284034,"13+":261755,"18+":500,"9999":215}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF05N50ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:632pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NK50ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":9876,"11+":4050,"12+":4300,"14+":28950,"15+":1200,"16+":118654,"17+":29416,"9999":299,"MI+":10850}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF05N50ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:632pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK50ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF5N50D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:325pF@100V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI820GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI820GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI820GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NK50ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":17001}
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI820GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: